型号:TPS1100DR | 类别:FET - 单 | 制造商:Texas Instruments |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Texas Instruments |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 15V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.45nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 791mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
瀚佳科技(深圳)有限公司 | 李先生 李小姐0755-23140719/23915992 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市诚兴宇科技有限公司 | 张先生 徐小姐0755-83215047张先生/086-0755-82528757徐小姐 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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